离子束溅镀

离子束溅镀

 

离子束溅镀技术原理:能量为五千电子伏特的离子束轰击靶材表面,溅镀好的材料沉积在基板上。其间形成着的镀膜化学计量和靶材一模一样。

这个技术用于精密多层膜的沉积,薄膜的密度高、粗糙度低。用离子束溅镀方法形成的薄膜有等于4,0纳米的粗糙度绝对系数(Rpv = 4,0 nm),均方偏差等于0,19纳米(Rms = 0,19 nm)。

这个技术的独特优势是形成的薄膜在大气、气候条件的影响下没有时间漂移效应,这是在对现代光学功能薄膜提出的最关键的要求之一。

离子束溅镀技术其他优势:

-              可在一间真空腔体里面进行反应、无反应过程,不用重新调节(比如说,用硅(Si)靶材制造硅(Si)、二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)薄膜);

-              可将薄膜沉积在热敏感的基板上(塑料,等等),因为沉积过程在不到900℃的低温下而进行。

IZOVAC公司专家已开发出了离子束各种形状的IBSS系列的来源。用这些来源可溅镀圆、直线几何图形的靶材(包括倾斜溅镀)。

应用该技术的真空设备